江蘇格林達(dá)蝕刻液產(chǎn)品介紹

    本實(shí)用新型涉及資源回收再利用領(lǐng)域，特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術(shù)：線路板生產(chǎn)工業(yè)中，會(huì)對(duì)已經(jīng)使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進(jìn)行回收利用，在回收過(guò)程中，廢液在加熱器中通過(guò)蒸汽進(jìn)行換熱，換熱完的廢液在高溫狀態(tài)下進(jìn)入分離器，會(huì)在分離器中發(fā)生閃蒸，閃蒸產(chǎn)生的二次蒸汽中，攜帶有大小不等的液滴，現(xiàn)有技術(shù)因缺乏有效的分離氣液的手段，含有銅的液體隨著蒸汽被排走，導(dǎo)致了產(chǎn)品發(fā)生損失。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)氣液分離率低的問(wèn)題，提供一種含銅蝕刻液氣液分離裝置。一種含銅蝕刻液氣液分離裝置，包括分離器及加熱器，所述分離器設(shè)有液體入口、蒸汽出口及濾液出口，所述液體入口用于將加熱器產(chǎn)生的液體輸入至分離器中，所述液體入口處設(shè)有減壓閥，所述蒸汽出口處設(shè)有真空泵、除霧組件及除沫組件，所述除霧組件用于過(guò)濾分離器中閃蒸的蒸汽中的含銅液體，所述除沫組件用于將經(jīng)除霧組件除霧的氣體進(jìn)行除沫。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述除霧組件為設(shè)有多個(gè)平行且曲折的通道的折流板。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述除沫組件為絲網(wǎng)。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述分離器設(shè)有液位計(jì)、液位開(kāi)關(guān)、液相氣相溫度傳感器和壓力傳感器。在其中一個(gè)實(shí)施例中。BOE蝕刻液多少錢一噸？江蘇格林達(dá)蝕刻液產(chǎn)品介紹

    本實(shí)用新型有關(guān)于一種擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機(jī)的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產(chǎn)品損耗的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備。背景技術(shù)：請(qǐng)參閱圖1所示，為傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)的整體設(shè)置示意圖，其中一實(shí)心pvc板態(tài)樣的擋液板結(jié)構(gòu)a設(shè)置于一濕式蝕刻機(jī)(圖式未標(biāo)示)內(nèi)，主要用以阻擋一蝕刻藥液(圖式未標(biāo)示)對(duì)設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)a下方的基板(圖式未標(biāo)示)的噴濺而造成蝕刻不均勻的現(xiàn)象，并且在濕式蝕刻的制程步驟中，該基板設(shè)置于二風(fēng)刀b之間，當(dāng)該基板設(shè)置于一輸送裝置(圖式未標(biāo)示)而由該擋液板結(jié)構(gòu)a的左方接受蝕刻藥液蝕刻后移動(dòng)至風(fēng)刀b之間，該等風(fēng)刀b再噴出一氣體c到該基板的表面以將該基板表面殘留的蝕刻藥液吹除；然而，當(dāng)在該等風(fēng)刀b進(jìn)行吹氣的狀態(tài)下，容易在該擋液板結(jié)構(gòu)a下方形成微小的真空空間而形成渦流并造成真空吸板的問(wèn)題；因此，如何有效借由創(chuàng)新的硬體設(shè)計(jì)，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導(dǎo)致的基板刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)，仍是濕式蝕刻機(jī)等相關(guān)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)業(yè)者與相關(guān)研究人員需持續(xù)努力克服與解決的課題。廣州銅鈦蝕刻液蝕刻液廠家現(xiàn)貨哪家的蝕刻液配方比較好？

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過(guò)化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對(duì)于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對(duì)ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。4.具體地，本技術(shù)首先方面提供了一種ito蝕刻液，所述ito蝕刻液包括以下重量份數(shù)的各組分：20-22份的鹽酸，6-7份的硝酸，0.5-3份的酸抑制劑，0.5-3份的表面活性劑，以及水；其中，所述酸抑制劑包括n,n-二異丙基乙胺、n,n-二異丙基乙醇胺中的至少一種；所述表面活性劑包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一種。5.通過(guò)對(duì)蝕刻液中硝酸及鹽酸的含量進(jìn)行精確限定，以實(shí)現(xiàn)了對(duì)王水系蝕刻液蝕刻速度的初步調(diào)控，并在一定程度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)蝕刻角度的控制(蝕刻角度小于35

    12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號(hào)排液管；18、一號(hào)電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號(hào)排液管；23、二號(hào)電磁閥；24、傾斜板；25、活動(dòng)板；26、蓄水箱；27、進(jìn)水管；28、抽水管；29、三號(hào)電磁閥；30、控制面板。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，包括裝置主體1，裝置主體1內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板2，分隔板2左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板3，承載板3上端表面放置有電解池4，電解池4內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜5，裝置主體1上端表面靠近右側(cè)安裝有進(jìn)液漏斗6，進(jìn)液漏斗6上設(shè)置有過(guò)濾網(wǎng)7，裝置主體1內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進(jìn)液管8，進(jìn)液管8左端連接有伸縮管9，伸縮管9下端安裝有噴頭10，裝置主體1上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸11，液壓缸11下端安裝有伸縮桿12。蘇州口碑好的蝕刻液公司。

    當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問(wèn)題；此外，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題，因此，該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細(xì)現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內(nèi)的夾角θ等于該水滴與該第二擋板12的該上表面123所夾的接觸角θ4，而達(dá)到防止位于該第二擋板12的該上表面123的藥液51水滴經(jīng)由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121滴下至該基板20上。由上述的實(shí)施說(shuō)明可知，本實(shí)用新型的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備與現(xiàn)有技術(shù)相較之下，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)用新型的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備主要借由具有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風(fēng)刀裝置的硬體設(shè)計(jì)，有效使風(fēng)刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板蝕刻不均等異常現(xiàn)象。蝕刻液運(yùn)用在平板顯示中的配方是什么；廣州銅鈦蝕刻液蝕刻液廠家現(xiàn)貨

哪家蝕刻液的的性價(jià)比好。江蘇格林達(dá)蝕刻液產(chǎn)品介紹

    silane)系偶聯(lián)劑和水，上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外，提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優(yōu)異的硅烷系偶聯(lián)劑的效果。此外，本發(fā)明的蝕刻液組合物提供在不損傷氧化物膜的同時(shí)*選擇性蝕刻氮化物膜的效果。附圖說(shuō)明圖1是示出3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分的圖。圖2和圖3是示出制造3dnand閃存時(shí)氮化物膜去除工序(濕法去除氮化物(wetremovalofnitride))中所發(fā)生的工序不良的圖。圖4是示出能夠?qū)?dnand閃存制造工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留以及氧化物膜損傷不良**少化的、硅烷系偶聯(lián)劑適宜防蝕能力范圍的圖。圖5是示出硅烷系偶聯(lián)劑的aeff值與蝕刻程度。江蘇格林達(dá)蝕刻液產(chǎn)品介紹