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    光刻膠又稱光致抗蝕劑，主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經曝光、顯影、刻蝕、擴散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細圖形從掩模版轉移至加工的基板上、***通過去膠剝離液將未曝光部分余下的光刻膠清洗掉，從而完成整個圖形轉移過程。在液晶面板和amoled生產中***使用。現有的剝離液主要有兩種，分別是水性剝離液和有機剝離液，由于有機剝離液只能用于具有mo/al/mo結構的制程中，無法用于ito/ag/ito；且乙醇胺的含量高達60％以上，有很強的腐蝕性，因此，常用的剝離液是水性剝離液，現有的水性剝離液主要成分為有機胺化合物、極性有機溶劑以及水，但現有的水性剝離液大都存在腐蝕金屬配線、光刻膠殘留、環境污染大、影響操作人員的安全性、剝離效果差等問題。 京東方用的哪家的剝離液？蕪湖格林達剝離液銷售電話

    避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風：良好的通風措施，保持良好通風人員保護設備：橡膠手套、防護目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學性能物理測試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點:-24~-23℃沸點：165~204℃閃點:110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸汽壓密度(空氣=1):密度(水=1):粘度：10~200cps水中溶解性:任意比例混溶其它溶劑：溶于部分有機溶劑PH值：10.穩定性與活性穩定性:穩定危險反應:有機和無機酸、強氧化劑、堿金屬、強酸混溶性:強氧化劑和酸不能混溶，在高溫氣壓下可與二硫化碳反應避免條件：熱、火、火源及混溶11.毒性N-Methyl-2-pyrrolidone實際毒性LD50/口服:3600mg/kgLD50/皮膚接觸（兔）:8000mg/kgLC50/吸入（鼠）:>mg/1/4hN,N-DIMETHYLACETAMIDELD50/口服/鼠:>2000mg/kgLD50/皮膚接觸/兔:>。合肥半導體剝離液銷售電話天馬微電子用哪家剝離液更多？

    本發明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實施例的技術方案充分傳達給本領域技術人員。如圖1所示，本發明提供的光刻膠剝離去除方法主要實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導體襯底上淀積介質層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執行離子注入：s4，采用氮氫混合氣體執行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；s5，對襯底表面進行清洗。本發明刻膠剝離去除方法主要實施例采用能與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應生成含氨揮發性化合物氣體，與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應速率相等的等離子體氮氫混合氣體能更高效的剝離去除光刻膠，有效降低光刻膠殘留。進而避免由于光刻膠殘留造成對后續工藝的影響，提高產品良率。參考圖11和圖12所示，在生產線上采用本發明的光刻膠剝離去除方法后，監控晶圓產品缺陷由585顆降低到32顆，證明本發明光刻膠剝離去除方法的的改善的產品缺陷，促進了產品良率的提升。

    可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000?！?0000埃。s3，執行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；如背景技術中所述，經過高劑量或大分子量的源種注入后，會在光刻膠的外層形成一層硬殼即為主要光刻膠層，主要光刻膠層包裹在第二光刻膠層外。使氮氫混合氣體與光刻膠反應生成含氨揮發性化合物氣體，反應速率平穩，等離子體氮氫混合氣體與主要光刻膠層、第二光刻膠層的反應速率相等。等離子體氮氫混合氣體先剝離去除主要光刻膠層，參考圖8所示。再逐步剝離去除第二光刻膠層，參考圖9和圖10所示?？蛇x的，等離子刻蝕氣體是氮氫混合氣體，氫氮混合比例范圍為4:96～30:70。s5，對襯底表面進行清洗?？蛇x擇的，對硅片執行單片排序清洗。單片清洗時，清洗液噴淋到硅片正面，單片清洗工藝結束后殘液被回收，下一面硅片清洗時再重新噴淋清洗液，清洗工藝結束后殘液再被回收，如此重復。現有的多片硅片同時放置在一個清洗槽里清洗的批處理清洗工藝，在清洗過程中同批次不同硅片的反應殘余物可能會污染其他硅片，或者上一批次硅片留在清洗槽的反應殘余物可能會污染下一批次硅片。相比而言。剝離液的價格哪家比較優惠？

以往的光刻膠剝離液對金屬的腐蝕較大，可能進入疊層內部造成線路減薄，藥液殘留，影響產品的質量。因此有必要開發一種不會對疊層晶圓產生過腐蝕的光刻膠剝離液。技術實現要素：本發明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會對晶圓內層有很大的腐蝕。本發明通過如下技術方案實現上述目的：一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。具體的。剝離液的正確使用方式；合肥銀蝕刻液剝離液商家

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本技術通過以下技術方案來實現上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機、電機減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結構、膠面剝離結構，所述主支撐架上方設置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設置有所述伺服變頻電機，所述伺服變頻電機上方設置有所述電機減速箱，所述電機減速箱上方安裝有印刷品傳送帶，所述印刷品傳送帶一側安裝有所述印刷品放置箱，所述印刷品放置箱一側安裝有所述表面印刷結構，所述表面印刷結構上方設置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安裝有油墨加壓器，所述油墨加壓器下方安裝有高壓噴頭，所述高壓噴頭一側安裝有防濺射擋板。蕪湖格林達剝離液銷售電話