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來源: 發(fā)布時間:2025-04-21

X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用數(shù)字表示序號第五部分:用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個部分,其各部分的符號意義如下:如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管,JAN-軍級、2-三極管。黃浦區(qū)銷售半導體器件設備圖片

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已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件,典型**是各種晶體管(又稱晶體三極管)。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外,還有一些特殊用途的晶體管,如光晶體管、磁敏晶體管,場效應傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號黃浦區(qū)銷售半導體器件設備圖片穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的一部分是一個字母。

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美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下:***部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)-非***品。第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。第三部分:美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)注冊登記。第四部分:美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別

偶極層內(nèi)部會發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數(shù)量級。利用PN結(jié)的這些特性在各種應用領域內(nèi)制成的二極管有:整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管(曾訥二極管)、崩越二極管(碰撞雪崩渡越二極管)和俘越二極管(俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管)等。此外,還有利用PN結(jié)特殊效應的隧道二極管,以及沒有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等。它是由兩個PN結(jié)構(gòu)成,其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),另一個稱為集電結(jié)。兩個結(jié)之間的一薄層半導體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極。使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。

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晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外,還有一些特殊用途的晶體管,如光晶體管、磁敏晶體管,場效應傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號,又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外,還有一些特殊器件,如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,可控硅可用于各種大電流的控制電路,電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等***裝備中,主要靠高靈敏度德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利。嘉定區(qū)國產(chǎn)半導體器件設備結(jié)構(gòu)

用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。黃浦區(qū)銷售半導體器件設備圖片

日本生產(chǎn)的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個部分,其各部分的符號意義如下:***部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管黃浦區(qū)銷售半導體器件設備圖片

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