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二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。目前，市場上有光伏防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇。中國香港優勢二極管模塊工廠直銷

其中有一條就是溫度高低變化時三極管的靜態電流不能改變，即VT1基極電流不能隨溫度變化而改變，否則就是工作穩定性不好。了解放大器的這一溫度特性，對理解VD1構成的溫度補償電路工作原理非常重要。2）三極管VT1有一個與溫度相關的不良特性，即溫度升高時，三極管VT1基極電流會增大，溫度愈高基極電流愈大，反之則小，顯然三極管VT1的溫度穩定性能不好。由此可知，放大器的溫度穩定性能不良是由于三極管溫度特性造成的。2．三極管偏置電路分析電路中，三極管VT1工作在放大狀態時要給它一定的直流偏置電壓，這由偏置電路來完成。電路中的R1、VD1和R2構成分壓式偏置電路，為三極管VT1基極提供直流工作電壓，基極電壓的大小決定了VT1基極電流的大小。如果不考慮溫度的影響，而且直流工作電壓+V的大小不變，那么VT1基極直流電壓是穩定的，則三極管VT1的基極直流電流是不變的，三極管可以穩定工作。在分析二極管VD1工作原理時還要搞清楚一點：VT1是NPN型三極管，其基極直流電壓高，則基極電流大；反之則小。3．二極管VD1溫度補償電路分析根據二極管VD1在電路中的位置，對它的工作原理分析思路主要說明下列幾點：1）VD1的正極通過R1與直流工作電壓+V相連。河北國產二極管模塊直銷價光電二極管又稱光敏二極管。

而它的負極通過R2與地線相連，這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導通狀態。理解二極管導通的要點是：正極上電壓高于負極上電壓。2）利用二極管導通后有一個，因為通過調整R1和R2的阻值大小可以達到VT1基極所需要的直流工作電壓，根本沒有必要通過串入二極管VD1來調整VT1基極電壓大小。3）利用二極管的管壓降溫度特性可以正確解釋VD1在電路中的作用。假設溫度升高，根據三極管特性可知，VT1的基極電流會增大一些。當溫度升高時，二極管VD1的管壓降會下降一些，VD1管壓降的下降導致VT1基極電壓下降一些，結果使VT1基極電流下降。由上述分析可知，加入二極管VD1后，原來溫度升高使VT1基極電流增大的，現在通過VD1電路可以使VT1基極電流減小一些，這樣起到穩定三極管VT1基極電流的作用，所以VD1可以起溫度補償的作用。4）三極管的溫度穩定性能不良還表現為溫度下降的過程中。在溫度降低時，三極管VT1基極電流要減小，這也是溫度穩定性能不好的表現。接入二極管VD1后，溫度下降時，它的管壓降稍有升高，使VT1基極直流工作電壓升高，結果VT1基極電流增大，這樣也能補償三極管VT1溫度下降時的不穩定。4．電路分析細節說明電路分析的細節說明如下。1）在電路分析中。

[4]二極管發光二極管發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發光二極管極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，廣用于信號指示等電路中。[4]在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。[4]二極管特性參數編輯用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。[4]二極管伏安特性二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖所示[5]。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示[4]。對于鍺二極管，開啟電壓為。二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。

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由外殼、印刷電路板、發光二極管芯片陣列、控制電路和金屬引腳組成。中國香港優勢二極管模塊工廠直銷

若能運用元器件的某一特性去合理地解釋它在電路中的作用，說明電路分析很可能是正確的。例如，在上述電路分析中，只能用二極管的溫度特性才能合理解釋電路中VD1的作用。2）溫度補償電路的溫度補償是雙向的，即能夠補償由于溫度升高或降低而引起的電路工作的不穩定性。3）分析溫度補償電路工作原理時，要假設溫度的升高或降低變化，然后分析電路中的反應過程，得到正確的電路反饋結果。在實際電路分析中，可以只設溫度升高進行電路補償的分析，不必再分析溫度降低時電路補償的情況，因為溫度降低的電路分析思路、過程是相似的，只是電路分析的每一步變化相反。4）在上述電路分析中，VT1基極與發射極之間PN結（發射結）的溫度特性與VD1溫度特性相似，因為它們都是PN結的結構，所以溫度補償的結果比較好。5）在上述電路中的二極管VD1，對直流工作電壓+V的大小波動無穩定作用，所以不能補償由直流工作電壓+V大小波動造成的VT1管基極直流工作電流的不穩定性。5．故障檢測方法和電路故障分析這一電路中的二極管VD1故障檢測方法比較簡單，可以用萬用表歐姆檔在路測量VD1正向和反向電阻大小的方法。當VD1出現開路故障時，三極管VT1基極直流偏置電壓升高許多。中國香港優勢二極管模塊工廠直銷