聊城MTDC55晶閘管智能模塊

    而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測(cè)單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測(cè)量其正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。對(duì)調(diào)兩表筆測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。測(cè)量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻，均應(yīng)為無窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，不論正、反向均不應(yīng)導(dǎo)通，否則晶閘管已壞。[16]檢測(cè)雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應(yīng)為較小阻值。測(cè)量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應(yīng)為無窮大。[17]檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應(yīng)為無窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下（短接后即斷開），表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。檢測(cè)雙向晶閘管導(dǎo)通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應(yīng)為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。正高電氣銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。聊城MTDC55晶閘管智能模塊

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。聊城MTDC55晶閘管智能模塊正高電氣愿和各界朋友真誠(chéng)合作一同開拓。

    構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)。

    對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是，不需要具體計(jì)算IAT、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值。注意事項(xiàng)：（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

    使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動(dòng)不成功，即自動(dòng)調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號(hào)，此時(shí)，它激信號(hào)便會(huì)一直掃描到比較低頻率，重復(fù)起動(dòng)電路一旦檢測(cè)到它激信號(hào)進(jìn)入到比較低頻段，便進(jìn)行一次再起動(dòng)，把它激信號(hào)再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動(dòng)成功，重復(fù)起動(dòng)的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號(hào)，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號(hào)，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號(hào)。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動(dòng)逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時(shí)鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時(shí)又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動(dòng)頻率表。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時(shí)鐘的比較高頻（即逆變它激信號(hào)的比較高頻率），W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外，當(dāng)發(fā)生過電壓保護(hù)時(shí)，IC6內(nèi)部的過電壓保護(hù)振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動(dòng)失敗檢測(cè)器，其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動(dòng)電路。過電流保護(hù)信號(hào)經(jīng)Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發(fā)脈沖：驅(qū)動(dòng)“”LED批示燈亮和驅(qū)動(dòng)報(bào)警繼電器。過電流觸發(fā)器動(dòng)作后，只有通過復(fù)位信號(hào)或通過關(guān)機(jī)后再開機(jī)進(jìn)行“上電復(fù)位”，方可再次運(yùn)行。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。青島MTAC450晶閘管智能模塊品牌

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晶閘管模塊的應(yīng)用方法

1、模塊的控制功能端口定義

+12V：   外接 +12V直流電源正極。

GND：   直流電源地線。

GND1:    控制信號(hào)地線，與GND 相通。

CON10V:  0～10V 控制信號(hào)輸入。

TESTE： 檢測(cè)電源,可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號(hào)。

CON20mA：4～20mA控制信號(hào)輸入。

2、模塊的控制端口與控制線

模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式，分別對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號(hào)的產(chǎn)品只用**腳端口，其余為空腳，采用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入，控制線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,連接時(shí)注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。 聊城MTDC55晶閘管智能模塊

淄博正高電氣有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在山東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績(jī)讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無限潛力，淄博正高電氣供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈的市場(chǎng)氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！