可控硅模塊屬于電氣元器件,目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關器件,它是從普通可控硅模塊的基礎上發展而來的,使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。
雙向可控硅模塊是由一對反并聯連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通,所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通,因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅模塊,需定量掌握其主要參數,對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。 淄博正高電氣有限公司以質量求生存,以信譽求發展!濱州快恢復可控硅模塊價格
可控硅模塊的接線方法
可控硅模塊在電力工業中占有重要地位。很多人知道可控硅模塊的優點和使用方法,但不知道如何連接可控硅模塊。我們來談談可控硅模塊的連接方法。
單個晶閘管反向并聯。記得增加RC保護電路。控制交流電,單向晶閘管一定要反向并聯,因此2和3應短接使用。
可控硅的介紹:
這是一種由三個晶閘管引起的共正晶閘管模塊,主要用于三相半波整流電路。
或者三相全控橋可以由一個普通的負三相半波整流器構成。
調速器:紅色,藍色,黑色,3根電線,紅色電池正極,黑色電池負極,藍色連接電機負極,電機正極帶一根線到電池正極。 濱州快恢復可控硅模塊價格淄博正高電氣有限公司創新發展,努力拼搏。
接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。
可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點:靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創碧水藍天。
可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司生產的產品受到用戶的一致稱贊。青島雙向可控硅模塊價格
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可控硅模塊的出現已經歷史悠久,它的出現也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優勢,使可控硅模塊在電氣行業中非常的受歡迎,下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現在電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
可控硅模塊的優點體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優點,因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,并因此得到長足發展。 濱州快恢復可控硅模塊價格
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