珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-22

mos管,mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體,MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。MOS電容的特性能被用來形成MOS管,Gate,電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source,另一個(gè)稱為drain,假設(shè)source 和backgate都接地,drain接正電壓,只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,就不會(huì)形成channel。場(chǎng)效應(yīng)管雖然體積小,但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商

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Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置,所以只有很小的電流從drain流向backgate,如果GATE電壓超過了閾值電壓,在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,由電子組成的電流從source通過channel流到drain,總的來說,只有在gate 對(duì)source電壓V 超過閾值電壓Vt時(shí),才會(huì)有drain電流。在對(duì)稱的MOS管中,對(duì)source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性,定義上,載流子流出source,流入drain,因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的,兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色,這種情況下,電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),應(yīng)考慮其耐壓、耐流等參數(shù),以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。

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對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般取(400~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話,相對(duì)延時(shí)太多,且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故100kHz以上開關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以。對(duì)于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn):?jiǎn)坞娫垂ぷ鳎刂菩盘?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,此時(shí)阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放,在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管。當(dāng)瀉放電阻過小,由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導(dǎo)通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時(shí)候,就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括。場(chǎng)效應(yīng)管的靈敏度較高,可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。

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漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等,靠近源極一端的電壓較大,這里溝道較厚,而漏極一端電壓較小,其值為VGD=vGS-vDS,因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較小(vDS 隨著vDS的增大,靠近漏極的溝道越來越薄,當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)時(shí),溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS,夾斷點(diǎn)將向源極方向移動(dòng),如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),故iD幾乎不隨vDS增大而增加,管子進(jìn)入飽和區(qū),iD幾乎只由vGS決定。在設(shè)計(jì)電路時(shí),合理選擇場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)和工作參數(shù),以滿足電路要求。無錫P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

在選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),要考慮其成本效益,根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性價(jià)比產(chǎn)品。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時(shí),一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管廠商

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