從電磁屏蔽材料和復雜結構部件制造這兩個方面來說,以聚碳硅烷 / 烯丙基酚醛(PCS/APR)為聚合物陶瓷前驅體,制備的多層 SiC/CNT 復合膜,在有 50μm 的厚度下,具有高達 73dB 的電磁屏蔽效能。燒蝕實驗表明,復合膜成功克服了碳納米管膜易被燒蝕氧化的特點,且在燒蝕后,仍然具有 30dB 電磁屏蔽效能,滿足電磁屏蔽材料的屏蔽效能商用標準。陶瓷增材制造技術通常采用陶瓷前驅體為原料,通過光固化等增材制造技術得到具有復雜精細結構的陶瓷坯體,再經過脫脂、燒結等工藝,得到精密陶瓷部件。光固化陶瓷 3D 打印技術可以制造出既輕又強的部件,還能實現復雜結構的制造,為設計師提供了更大的自由度。對陶瓷前驅體的元素組成進行分析,可以采用能量色散 X 射線光譜等技術。廣東防腐蝕陶瓷前驅體纖維
許多陶瓷前驅體具有優異的生物相容性,如氧化鋯、氧化鋁等陶瓷前驅體,它們在與人體組織接觸時,不會引起明顯的免疫反應或毒性作用,能夠與周圍組織形成良好的結合,為長期植入提供了可能。陶瓷前驅體制備的生物醫學材料具有高硬度、高耐磨性和良好的韌性等力學性能,能夠滿足人體在生理活動中的力學需求,如人工關節、牙科修復體等需要承受較大的壓力和摩擦力,陶瓷前驅體材料可以提供可靠的力學支撐。通過對陶瓷前驅體的組成、結構和制備工藝的調控,可以實現對材料性能的精確設計和優化,以滿足不同生物醫學應用的需求。例如,可以調整陶瓷前驅體的孔隙率、孔徑分布和表面形貌等,促進細胞的黏附、增殖和組織的長入,還可以引入生物活性物質,如生長因子、藥物等,賦予材料特定的生物功能。陶瓷前驅體材料具有良好的化學穩定性,不易在人體環境中被腐蝕或降解,能夠長期保持其結構和性能的穩定,從而保證了植入物的使用壽命和安全性。江蘇防腐蝕陶瓷前驅體供應商高校和科研機構在陶瓷前驅體的研究方面取得了許多重要成果。
陶瓷前驅體的選擇需要考慮化學組成與純度:①目標陶瓷的化學組成:要確保前驅體的化學組成與目標陶瓷相匹配,以保證能得到期望的陶瓷材料。如制備氧化鋁陶瓷,需選擇含鋁元素的合適前驅體。②純度要求:前驅體的純度對陶瓷性能影響明顯,高純度的前驅體可減少雜質對陶瓷性能的不良影響,如降低電導率、強度等,像電子陶瓷領域,通常要求前驅體純度極高。同時也需考慮物理性質:①形態與粒度:前驅體的形態(如粉末、溶液、膠體等)和粒度分布會影響后續加工和陶瓷的微觀結構。粉末狀前驅體的粒度細且分布均勻,有利于提高陶瓷的致密度和性能。②溶解性與分散性:在制備過程中,若需要將前驅體溶解或分散在溶劑中,其溶解性和分散性就很重要。良好的溶解性和分散性可保證前驅體在體系中均勻分布,如溶膠 - 凝膠法中,金屬醇鹽需能在溶劑中充分溶解并均勻分散。③熱穩定性:前驅體應具有一定的熱穩定性,在后續熱處理過程中不發生過早分解或其他副反應,否則會影響陶瓷的形成和性能。
研究陶瓷前驅體熱穩定性的實驗方法之一:光譜分析技術。①傅里葉變換紅外光譜(FT-IR):用于分析陶瓷前驅體的化學鍵和官能團結構。通過比較不同溫度下的 FT-IR 光譜,觀察化學鍵的振動吸收峰的變化,了解前驅體在受熱過程中化學鍵的斷裂和重組情況,從而評估其熱穩定性。例如,某些化學鍵的吸收峰在高溫下減弱或消失,可能意味著這些化學鍵發生了斷裂,前驅體的結構發生了變化。②拉曼光譜:與 FT-IR 類似,拉曼光譜也可以提供關于陶瓷前驅體化學鍵和結構的信息。通過分析拉曼光譜中特征峰的位置、強度和寬度等變化,研究前驅體在高溫下的結構演變,判斷其熱穩定性。冷凍干燥法是一種制備陶瓷前驅體的有效方法,能夠保留其原始的微觀結構。
如制備硅硼碳氮(SiBCN)陶瓷前驅體,將含硅、硼、碳、氮的有機化合物(如硅烷、硼烷、含氮有機物等)與無機化合物(如硼酸、硅粉等)混合,在一定的溫度和氣氛條件下進行反應。例如,將二甲氧基甲基乙烯基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、甲氧基三甲基硅烷等硅氧烷單體與甲基硼酸溶解于 1,4 - 二氧六環中,攪拌反應,旋蒸去除溶劑,得到中間產物。再將中間產物與三乙胺混合,在冰浴環境下滴加甲基丙烯酰氯,進行冰浴反應,經過濾、旋蒸去除沉淀和溶劑,得到液態 SiBCN 陶瓷前驅體。陶瓷前驅體的力學性能測試包括硬度、強度和韌性等指標的測量。江蘇特種材料陶瓷前驅體供應商
研究人員通過對陶瓷前驅體的成分進行優化,成功提高了陶瓷材料的耐高溫性能。廣東防腐蝕陶瓷前驅體纖維
陶瓷前驅體在航天領域有廣泛的應用,從熱防護系統角度來講:①陶瓷基復合材料熱結構部件:如 C/SiC 復合材料,可用于飛行器的熱防護系統頭錐、迎風面大面積部位、翼前緣和體襟翼等。通過前驅體浸漬裂解工藝制備的 C/SiBCN 材料,比 C/SiC 具有更優異的高溫抗氧化性能。在 1400℃下空氣中的氧化動力學常數 kp 明顯低于 SiC 陶瓷,且 C/SiBCN 復合材料室溫下彎曲強度 489MPa,在 1600℃彎曲強度仍達到 450MPa 以上。②超高溫陶瓷防熱材料:利用陶瓷前驅體可制備超高溫納米復相陶瓷,如 (Ti,Zr,Hf) C/SiC 陶瓷。采用乙烯基聚碳硅烷與含鈦、鋯、鉿的無氧金屬配合物反應合成的單源先驅體,經放電等離子燒結技術制備出的此類陶瓷,在 2200℃的燒蝕實驗中表現出極低的線燒蝕率,為 - 0.58μm/s。廣東防腐蝕陶瓷前驅體纖維