江蘇碳納米管芯片流片

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設計與加工服務，GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術解決方案。研究院可根據客戶需求進行定制化開發，可應用于太赫茲混頻、倍頻、檢波等技術方向。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將不斷提高研發水平，為客戶提供更好的服務。芯谷高頻研究院的熱物性測試儀可有效解決無法實現大尺寸、微米級厚度、及其超高熱導率等材料的熱評估難題。江蘇碳納米管芯片流片

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司作為一家專注于高頻器件領域的科技企業，擁有豐富的研發經驗和技術實力，在芯片代加工和流片能力上也具備較強的實力。在芯片代加工與流片方面，芯谷高頻公司自主開發了一系列芯片加工工藝，能夠滿足客戶的不同需求，可以根據客戶要求進行單步工藝或多步工藝加工，也可以進行不同規格尺寸的試驗片加工，可進行太赫茲/微波毫米波芯片、光電芯片等多種材料器件及電路的流片，能夠為客戶提供優良的代加工服務。公司依托雄厚的技術力量，展現了較強的芯片代加工和流片能力，這為企業提升核心競爭力，促進科技創新和產業升級提供了強有力支撐。重慶微波毫米波器件及電路芯片流片芯谷高頻研究院的太赫茲放大器系列產品，是一項可提供太赫茲芯片解決方案的創新科技成果。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的CVD用固態微波功率源產品具有以下特點：采用第三代氮化鎵半導體，具有高頻率一致性和穩定性, 且具有集成度高，尺寸小、壽命高等特性；可直接與各類射頻CVD設備直接集成，應用于金剛石等材料的生長；可設計與研制不同工作模式的氮化鎵基固態微波功率源，滿足各類射頻CVD設備對高可靠、高集成、高微波特性的技術需求，提升CVD設備的穩定性；主要用于各類射頻CVD設備，為其提供微波功率，可擴展應用為微波消毒、微波醫療等領域；本公司可依據客戶要求進行各類微波功率大小和功率頻率的設計與開發，相對傳統微波功率源具有性能高、穩定性好的特性。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺是一家專業提供先進芯片工藝技術服務、微組裝及測試技術服務的機構。該平臺匯聚了一支經驗豐富、技術精湛的團隊，致力于為客戶提供技術支持和解決方案。在芯片工藝技術服務方面，平臺具備先進的工藝設備，能夠提供高質量的工藝服務，包括制程設計、工藝優化、工藝流程開發、單步或多步工藝代工等方面的支持，幫助客戶實現芯片制造的各項工藝。此外，平臺還擁有先進的微組裝及測試設備，為客戶提供器件及電路的測試、模塊組裝等服務。這些服務包括微組裝技術、封裝工藝、器件測試等方面的技術支持，以保證客戶的產品性能。平臺以客戶需求為導向，注重與客戶的密切合作，為客戶提供一站式的技術服務和解決方案。秉承著技術創新和持續改進的理念，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺將不斷提升技術實力，豐富技術服務內容。芯谷高頻研究院的聚焦離子束電鏡系統可以進行表面形貌、剖面層結構分析以及元素成分分析，分辨率達到10nm。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺，針對太赫茲測試，可提供先進的測試設備和專業的技術服務。研究院測試設備可以達到500GHz的測試頻率，在這個范圍內，研究院可以對各種高頻器件進行測試和分析。研究院擁有一支技術精湛、經驗豐富的團隊，公司能夠根據客戶的需求，進行實驗設計和數據分析，提供準確可靠的測試結果。研究院的太赫茲測試服務不僅能夠幫助客戶進行性能評估，還能夠為客戶提供良好的產品設計和優化建議。研究院致力于為客戶提供優良的技術服務，幫助公司快速實現技術創新。芯谷高頻研究院的CVD用固態微波功率源產品可滿足CVD設備對高可靠、高集成、高微波特性的需求，提升穩定性。湖南微波毫米波芯片流片

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院提供定制化芯片研發服務，可提供芯片設計、芯片流片、芯片測試等服務。江蘇碳納米管芯片流片

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發服務，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產品具有耐功率、高速等優勢，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實現裝置的小型化；用于太赫茲系統，可提高太赫茲固態源輸出功率，實現太赫茲源小型化，為6G通信等未來應用奠定基礎。江蘇碳納米管芯片流片

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