上海XBM3214DBA賽芯內置MOS 兩節鋰保

3串鋰電池保護芯片介紹,XBM3360  3串集成Sense/SOP8  保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節：3串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關MOS管進行并聯操作，以增大過流電流，將兩節鋰電池保護芯片電路和兩節鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能在輸入端的NTC熱敏電阻，是靠充電器的輸入電流來加熱，降低電阻。上海XBM3214DBA賽芯內置MOS 兩節鋰保

    電池均衡IC介紹定義及作用電池均衡IC是電池管理系統中的關鍵組件，主要用于確保電池組中各個單體電池之間的電壓、容量等參數保持一致。在鋰電池串聯使用過程中，由于電池個體差異、使用環境不同等因素，會導致單體電池的電壓和容量出現不一致的情況，這不僅會影響電池組的整體性能，還可能縮短電池的使用壽命。電池均衡IC通過對電池進行均衡充電或放電，使各個單體電池的狀態趨于一致，從而延長電池組的使用壽命并提升其性能\電池均衡方法負載消耗型均衡在每節電池上并聯一個電阻，串聯一個開關做。當某節電池電壓過高時，打開開關，充電電流通過電阻分流，使電壓高的電池充電電流小，電壓低的電池充電電流大，從而實現電池電壓的均衡。但這種方式只能適用于小容量電池1。 南京XBM4451賽芯廠家多串鋰保應用注意事項布局。

XBM4X30系列產品、3或4串電池組的二級保護芯片主要描述內置高精度的電壓檢測電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級保護芯片，通過檢測電池包中每一節電芯的電壓，為電池包提供過充電保護和過放保護1。功能特點高精度電池電壓檢測功能：過充電檢測電壓-（步進50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進50mV），精度±50mV；過放電檢測電壓-（步進100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進100mV），精度±100mV1。保護延時內置可選：可根據不同應用場景選擇合適的保護延時1。內置斷線保護功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動態輸出H、動態輸出。

2串鋰保集成MOS  船運模式 XBM325 兩串鋰電池保護芯片介紹35W以內  2串鋰保集成MOS  內置均衡  船運模式：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節：保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能多節鋰電池保護電路， XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。

XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保護芯片  、6--7串鋰電池保護芯片介紹,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護閾值調節：6-7串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關MOS管進行并聯操作，以增大過流電流，將兩節鋰電池保護芯片電路和兩節鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能XF5131是賽芯退出的一款集成充電管理、鋰電池保護、低功耗二合一芯片?；葜軽BM7101賽芯內置MOS 兩節鋰保

可用模擬和PWM信號調光的高壓線性LED驅動集成電路。上海XBM3214DBA賽芯內置MOS 兩節鋰保

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯，實現幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內阻，提高效率，但布板清注意：①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內阻和加強散熱。③，每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經過電阻后，先經過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個電容環路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預留一個C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 上海XBM3214DBA賽芯內置MOS 兩節鋰保