蘇州6096J9o賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯，實現幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內阻，提高效率，但布板清注意：①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內阻和加強散熱。③，每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經過電阻后，先經過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個電容環路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預留一個C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 6-7串鋰電池保護NTC/PWM/SSOP16 多節鋰電池保護——二級保護 XBM5772 。Series。蘇州6096J9o賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

    在當今快節奏的生活中，移動電源成為了我們不可或缺的電子設備。芯納推出的移動電源SOC更是為我們帶來了全新的體驗。移動電源SOC（SystemonChip，系統級芯片）是一種高度集成的芯片，用于移動電源中。它集成了多種功能模塊，包括同步開關升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計算模塊、顯示模塊、協議模塊等。高集成度：將多個功能模塊集成在一個芯片上，減少了外部元器件的使用，簡化了移動電源的設計。多協議雙向快充：支持多種充電協議，能夠實現充電和雙向充電功能，提高充電效率。電池管理：負責電池的充放電管理，包括過充、過放保護，延長電池壽命。電量計算和顯示：準確計算電池電量，并通過顯示模塊向用戶展示電量信息。保護功能：提供輸入/輸出的過壓/欠壓保護、NTC過溫保護、放電過流保護、輸出短路保護等，確保移動電源和連接設備的安全。芯納科技專注代理電源芯片和電子元器件12年。提供的產品和方案包括：移動電源SOC、多口快充SOC、快充充電管理SOC、電源管理芯片、鋰電池充電管理、鋰電保護、DC轉換器、MOS等。致力于為合作伙伴帶來增值，為客戶的成長與發展竭誠服務，當好供求間之橋梁，謀求產業鏈的共同發展！ 江門2m1EAB賽芯內置MOS 兩節鋰保鋰保PCB應用注意事項-布局。

3串鋰電池保護芯片介紹,XBM3360  3串集成Sense/SOP8  保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節：3串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關MOS管進行并聯操作，以增大過流電流，將兩節鋰電池保護芯片電路和兩節鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能

 XBM4530系列產品內二級保護芯片、置高精度的電壓檢測電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級保護芯片，通過檢測電池包中每一節電芯的電壓，為電池包提供過充電保護和過放保護1。功能特點高精度電池電壓檢測功能：過充電檢測電壓-（步進50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進50mV），精度±50mV；過放電檢測電壓-（步進100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進100mV），精度±100mV1。保護延時內置可選：可根據不同應用場景選擇合適的保護延時1。內置斷線保護功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動態輸出H、動態輸出。芯納科技成立于2011年。專注代理電源芯片和電子元器件的銷售服務。

XBM2138內置MOS內置均衡器高精度電壓檢測電路和延時電路，用于2節串聯鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護。適合對2節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護。各延遲時間由內部電路設置（不需外接電容），連接充電器的端子采用高耐壓設計（CS端子和OC端子，***額定值是33V），還具備向0V電池充電功能，可選擇允許或禁止。內置MOS在高負載時可能發熱，需優化PCB散熱（如增加銅箔面積） 內置MOS，集成均衡功能高精度智能型磷酸鐵鋰離子電池充電管理芯片，具有功能全、集成度高，外部電路簡單，調節方便。蘇州XBM3360賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

3串 4串鋰電池保護 /NTC/MSOP10多節鋰電池保護——二級保護 XBM4X30。蘇州6096J9o賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

鋰電保護應用原理圖①按鋰電池保護芯片的典型原理圖設計，鋰電保護的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請嚴格按照規格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護芯片帶VT腳的，VT腳通常可接芯片GND（B-），或者懸空。④典型應用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動和外部強烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個都會有少燒芯片的可能，增加生產的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請根據***版的Datesheet的典型應用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達應用、LED照明應用、射頻干擾應用、負載電流劇烈變化的應用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網絡的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個，可以增強鋰電保護電路的系統級ESD，增強對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。⑦鋰電保護芯片可并聯使用，減小內阻，增強持續電流，多芯片并聯使用時，芯片VDD的RC網絡，電阻可共用，但電容須要一個保護芯片配一個電容。蘇州6096J9o賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保