佛山XBM325賽芯原廠

    降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730數據手冊—降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了過壓/欠壓保護、過流保護、過溫保護、短路保護功能。?過壓/欠壓保護：放電過程中，DS2730實時監測輸入/輸出電壓，并和預設的閾值電壓比較。如果電壓高于過壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時間達到一定長度時，芯片關閉放電通路。?過流保護：放電過程中，利用內部的高精度ADCADC，實時監測流經采樣電阻的電流。當電流大于預設的過流閾值時，首先降低輸出功率；如果降低功率后仍然持續過流，則觸發過流保護，芯片自動關閉放電通路。?過溫保護：放電過程中，利用連接在TS管腳上的NTCNTC，實時監測芯片自身的溫度或應用方案中關鍵元件的溫度（例如，MOS管）。當溫度超出預設的保護門限時，降低放電功率。?短路保護：放電過程中，實時檢測VBUS的電壓和放電電流。發生VBUSBUS輸出短路時，自動關閉放電通路。 DS2730B 65W-100W 多口充協議.佛山XBM325賽芯原廠

    在當今以電子設備為主導的時代，鋰電池作為一種**、輕便的能源存儲裝置，被廣泛應用于手機、筆記本電腦、電動汽車等眾多領域。而在鋰電池的安全運行中，鋰電池保護IC起著至關重要的作用。鋰電池保護IC，即鋰電池保護集成電路，是專門為保護鋰電池而設計的一種芯片。它的主要作用是監測鋰電池的工作狀態，并在出現異常情況時及時采取措施，以防止鋰電池發生過充、過放、過流和短路等危險情況。首先，鋰電池保護IC可以防止過充電。當鋰電池在充電過程中，電壓會逐漸升高。如果充電電壓過高，可能會導致鋰電池內部發生化學反應，甚至引發等危險情況。鋰電池保護IC會實時監測鋰電池的充電電壓，一旦發現電壓超過設定的安全值，就會立即切斷充電電路，從而避免過充電的發生。其次，保護IC能夠防止過放電。當鋰電池在放電過程中，電壓會逐漸降低。如果放電電壓過低，可能會導致鋰電池內部的電極材料受損，影響鋰電池的使用壽命。鋰電池保護IC會監測鋰電池的放電電壓，當電壓低于設定的安全值時，就會切斷放電電路，防止過放電的發生。此外，鋰電池保護IC還可以防止過流和短路。在使用鋰電池的過程中，如果出現短路或過大的電流，可能會導致鋰電池發熱、起火甚至。佛山XBM325賽芯原廠帶負載防電芯反接0V可充支持帶負載電芯反接。

移動電源應用兩串鋰電池保護芯片介紹、35W以內、XBM2138QFA  2串鋰保集成MOS內置均衡：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節：保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能、XBM2138QFA

10 串鋰電池保護芯片介紹,XBM7101集成均衡NTC/Sense保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護閾值調節：10串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關MOS管進行并聯操作，以增大過流電流，將兩節鋰電池保護芯片電路和兩節鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能高耐壓理電保護產品、具有低功耗、高過流精度、小封裝、無管壓降等特點、支持4.2V~4.5V。

    單路??2~6串升降壓??30~100WDC移動電源??SOCDS-6066是針對DC應用場景開發的一款高集成、多協議雙向快充DC移動電源應用??SOC，集成了同步開關升降壓變換器、支持??2~6節電池串聯，支持??30~100W功率選擇，支持??A+A+Cinout+Cinout任意口快充，支持??DC插入自識別并雙向充放電，支持??CC-CV切換，支持??，集成電池充放電管理模塊、電量計算模塊、顯示模塊，并提供輸入/輸出的過壓/欠壓，電池過充/過放、NTC過溫、放電過流、輸出短路保護等保護功能。2.應用領域空調服，加熱服，移動電源其他電池供電的DC應用設備。 太陽能充電管理方案芯片。佛山XBM325賽芯原廠

2串 內置均衡MOS,帶船運/SenseXBM325X.佛山XBM325賽芯原廠

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯，實現幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內阻，提高效率，但布板清注意：①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內阻和加強散熱。③，每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經過電阻后，先經過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個電容環路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預留一個C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 佛山XBM325賽芯原廠