中山XBM3214DCA賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

    多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級保護(hù)二級保護(hù)是指使用PTC、MHP、等被動組件來保護(hù)電池。鋰電池保護(hù)板分為一級保護(hù)和二級保護(hù)。一級保護(hù)通常指的是主動組件保護(hù)，包括保護(hù)IC和MOSFET，它能夠?qū)崟r監(jiān)測電池的電壓和充放電電流，并在必要時MOSFET的導(dǎo)通或關(guān)斷，以防止電池過充、過放、過載及短路。而二級保護(hù)則是指使用PTC、MHP、絲等被動組件來進(jìn)一步增強(qiáng)電池的安全性。這些組件通常是溫度敏感的，能夠在電池溫度異常升高時呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻止電流流動，從而避免可能的危險情況當(dāng)電池溫度異常升高時，PTC或MHP會呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻礙電池的充放電，從而防止鋰電池的起火。這種保護(hù)方式被稱為二級保護(hù)，它是一種被動組件保護(hù)，通常作為一級保護(hù)電路（IC/Mosfet）的補(bǔ)充。 移動電源soc芯片 DS5136B 22.5W-27W 單串移動電源.中山XBM3214DCA賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通常可接芯片GND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個都會有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級ESD，增強(qiáng)對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個保護(hù)芯片配一個電容。江門XBM3204JFG賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保多節(jié)鋰電保護(hù)芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM5244 均衡,推挽,充電過流檢測.3-4串XBM4X30 開漏，次級保護(hù)。

XBM2138QFA  移動電源應(yīng)用 兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹35W以內(nèi)XBM2138QFA2串鋰保集成MOS內(nèi)置均衡：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能

XBM4X30系列產(chǎn)品、3或4串電池組的二級保護(hù)芯片主要描述內(nèi)置高精度的電壓檢測電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級保護(hù)芯片，通過檢測電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測功能：過充電檢測電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過放電檢測電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場景選擇合適的保護(hù)延時1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動態(tài)輸出H、動態(tài)輸出。移動電源soc芯片DS5136B+MPP無線充 （QI2.0）22.5W 單串移動電源+無線充.

    在當(dāng)今快節(jié)奏的生活中，移動電源成為了我們不可或缺的電子設(shè)備。芯納推出的移動電源SOC更是為我們帶來了全新的體驗(yàn)。移動電源SOC（SystemonChip，系統(tǒng)級芯片）是一種高度集成的芯片，用于移動電源中。它集成了多種功能模塊，包括同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊等。高集成度：將多個功能模塊集成在一個芯片上，減少了外部元器件的使用，簡化了移動電源的設(shè)計(jì)。多協(xié)議雙向快充：支持多種充電協(xié)議，能夠?qū)崿F(xiàn)充電和雙向充電功能，提高充電效率。電池管理：負(fù)責(zé)電池的充放電管理，包括過充、過放保護(hù)，延長電池壽命。電量計(jì)算和顯示：準(zhǔn)確計(jì)算電池電量，并通過顯示模塊向用戶展示電量信息。保護(hù)功能：提供輸入/輸出的過壓/欠壓保護(hù)、NTC過溫保護(hù)、放電過流保護(hù)、輸出短路保護(hù)等，確保移動電源和連接設(shè)備的安全。芯納科技專注代理電源芯片和電子元器件12年。提供的產(chǎn)品和方案包括：移動電源SOC、多口快充SOC、快充充電管理SOC、電源管理芯片、鋰電池充電管理、鋰電保護(hù)、DC轉(zhuǎn)換器、MOS等。致力于為合作伙伴帶來增值，為客戶的成長與發(fā)展竭誠服務(wù)，當(dāng)好供求間之橋梁，謀求產(chǎn)業(yè)鏈的共同發(fā)展！ 3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.廣州XBM3215JFG賽芯代理

2串 內(nèi)置均衡MOS,帶船運(yùn)/SenseXBM325X.中山XBM3214DCA賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

XBM2138內(nèi)置MOS內(nèi)置均衡器高精度電壓檢測電路和延時電路，用于2節(jié)串聯(lián)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護(hù)。適合對2節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)。各延遲時間由內(nèi)部電路設(shè)置（不需外接電容），連接充電器的端子采用高耐壓設(shè)計(jì)（CS端子和OC端子，***額定值是33V），還具備向0V電池充電功能，可選擇允許或禁止。內(nèi)置MOS在高負(fù)載時可能發(fā)熱，需優(yōu)化PCB散熱（如增加銅箔面積） 內(nèi)置MOS，集成均衡功能中山XBM3214DCA賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保