咸寧高效PCB設計教程

設計規劃設計規劃子流程：梳理功能要求→確認設計要求→梳理設計要求。梳理功能要求（1）逐頁瀏覽原理圖，熟悉項目類型。項目類型可分為：數字板、模擬板、數模混合板、射頻板、射頻數模混合板、功率電源板、背板等，依據項目類型逐頁查看原理圖梳理五大功能模塊：輸入模塊、輸出模塊、電源模塊、信號處理模塊、時鐘及復位模塊。（2）器件認定：在單板設計中，承擔信號處理功能器件，或因體積較大，直接影響布局布線的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒溫晶振，時鐘芯片，大體積電源芯片。確認設計要求（1）客戶按照《PCBLayout業務資料及要求》表格模板，規范填寫，信息無遺漏；可以協助客戶梳理《PCBLayout業務資料及要求》表格，經客戶確認后，則直接采納。（2）整理出正確、完整的信號功能框圖。（3）按照《PCB Layout業務資料及要求》表格確認整版電源，及各路分支的電源功耗情況，根據電源流向和電流大小，列出電流樹狀圖，經客戶確認后，予以采納。DDR與SDRAM信號的不同之處在哪？咸寧高效PCB設計教程

導入網表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設計，在原理圖中生成網表，并導入到新建PCBLayout文件中，確認網表導入過程中無錯誤提示，確保原理圖和PCB的一致性。（2）原理圖和PCB文件為工程文件的，把創建的PCB文件的放到工程中，執行更新網表操作。（3）將導入網表后的PCBLayout文件中所有器件無遺漏的全部平鋪放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內。（4）為確保原理圖和PCB的一致性，需與客戶確認軟件版本，設計時使用和客戶相同軟件版本。（5）不允許使用替代封裝，資料不齊全時暫停設計；如必須替代封裝，則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。武漢正規PCB設計走線PCB設計布局以及整體思路。

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統時鐘驅動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發內部計數器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當CS#為高時器件內部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數據掩碼信號。寫數據時，當DQM為高電平時對應的寫入數據無效，DQML與DQMU分別對應于數據信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數據總線信號，讀寫操作時的數據信號通過該總線輸出或輸入。

結構繪制結構繪制子流程如下：繪制單板板框→繪制結構特殊區域及拼板→放置固定結構件。1.1.1繪制單板板框（1）將結構圖直接導入PCB文件且測量尺寸，確認結構圖形中結構尺寸單位為mm，顯示比例為1：1等大。（2）設計文件中，單位為mm，則精度為小數點后4位；單位為Mil，則精度為小數點后2位，兩種單位之間轉換至多一次，特殊要求記錄到《項目設計溝通記錄》中。（3）導入結構圖形并命名。（4）導入的結構圖形層命名方式為DXF_日期+版本，舉例：DXF_1031A1，線寬為0Mil。（5）結構圖形導入后應在EDA設計軟件視界正中，若偏移在一角，應整體移動結構圖形，使之位于正中。（6）根據結構圖形，繪制外形板框，板框與結構文件完全一致且重合，并體現在EDA設計軟件顯示層。（7）確定坐標原點，坐標原點默認為單板左邊與下邊延長線的交點，坐標原點有特殊要求的記錄到《項目設計溝通記錄》中。（8）對板邊的直角進行倒角處理，倒角形狀、大小依據結構圖繪制，如無特殊要求，默認倒圓角半徑為1.5mm，工藝邊外沿默認倒圓角，半徑為1.5mm并記錄到《項目設計溝通記錄》郵件通知客戶確認。（9）板框繪制完畢，賦予其不可移動，不可編輯屬性。PCB布局設計中布線的設計技巧。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。SDRAM 的PCB布局布線要求是什么？高效PCB設計教程

晶振電路的布局布線要求。咸寧高效PCB設計教程

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規則進行相應的調整。（2）格點優先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔，模塊內通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔數目滿足電源載流要求，過孔通流能力參照，地孔數不少于電源過孔數。咸寧高效PCB設計教程

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