ADC和DAC是數字信號和模擬信號的接口，在通信領域，射頻信號轉換為中頻信號，中頻信號經過ADC轉換成數字信號，經過數字算法處理后，再送入DAC轉換成中頻，再進行了變頻為射頻信號發射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原則：優先兼顧ADC、D...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U...

PCBLAYOUT規范PCBLayout整個流程是：網表導入-結構繪制-設計規劃-布局-布線-絲印調整-Gerber輸出。1.1網表導入網表導入子流程如下：創建PCB文件→設置庫路徑→導入網表。創建PCB文件（1）建立一個全新PCBLayout文件，并對其命名...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸...

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數據線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體...

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區域設置如下特性：禁布區設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區域設置對應高度限制屬性；亮銅區域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微...

布線優化布線優化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查...

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數據線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體...

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見接口模塊：常用外設接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、R...

規則設置子流程：層疊設置→物理規則設置→間距規則設置→差分線規則設置→特殊區域規則設置→時序規則設置◆層疊設置：根據《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應的規則設置。◆物理規則設置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻...

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規則設置→確定組內長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內等長規則設置并確定組內基準線并鎖定。（2）單端蛇形線同網絡走線間距S≥3W，差分對蛇形線同網絡走線間距≥20Mil。（3）差分線對內等長優先在不匹配端做補償，其次在...

工藝方面注意事項（1）質量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質量較大的元器件放在板的中心；（3）可調元器件的布局要方便調試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發現異...

繪制結構特殊區域及拼板（1）設置允許布局區域：回流焊傳送邊的寬度要求為5mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長邊用作回流焊傳送邊；短邊內縮默認2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時，寬長比＞2:3；傳送邊進板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時長...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U...

Gerber輸出Gerber輸出前重新導入網表，保證終原理圖與PCB網表一致，確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新，根據《PCBLayout檢查表》進行自檢后，進行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設置、操作、檢查子流程步驟如...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U...

工藝方面注意事項（1）質量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質量較大的元器件放在板的中心；（3）可調元器件的布局要方便調試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發現異...

調整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號要放在對應的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯數字構成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標識放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個管腳或者收尾管腳都要標出管腳號（6）對于二極管正極標注的擺...

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網絡名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位號絲印大（常規絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識別。添加特殊絲印（1）條碼：條碼位置應靠近PC...

工藝方面注意事項（1）質量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質量較大的元器件放在板的中心；（3）可調元器件的布局要方便調試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發現異...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸...

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數據同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數據總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發和鎖存，CLK必須與數據總線、地址總線、控制總線信...

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結構，分支端靠近信號的接收端，串聯電阻靠近驅動端放置（5mm以內），并聯電阻靠近接收端放置（5mm以內），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及...

Gerber輸出Gerber輸出前重新導入網表，保證終原理圖與PCB網表一致，確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新，根據《PCBLayout檢查表》進行自檢后，進行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設置、操作、檢查子流程步驟如...

工藝、層疊和阻抗信息確認（1）與客戶確認阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規阻抗：單端50歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業務資料及要求》中的...