每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級(jí)腔室102連通。其中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中，閥...

隨著國(guó)內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，光刻膠剝離液等電子化學(xué)品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè)，風(fēng)靡全球的智能手持設(shè)備、移動(dòng)終端等簡(jiǎn)直成為了光電行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)：與之相關(guān)的光電領(lǐng)域得到了飛速的發(fā)展，鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示...

以往的光刻膠剝離液對(duì)金屬的腐蝕較大，可能進(jìn)入疊層內(nèi)部造成線路減薄，藥液殘留，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。因此有必要開發(fā)一種不會(huì)對(duì)疊層晶圓產(chǎn)生過腐蝕的光刻膠剝離液。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，既具有較高的光刻膠剝離效率，又不會(huì)對(duì)晶圓...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無(wú)損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲(chǔ)：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護(hù)極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿...

圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五，其...

閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接，所述收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述膠面收卷輥通過導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應(yīng)器通過導(dǎo)線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進(jìn)一步的，所述干燥度...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工...

所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器，所述道包括多個(gè)子管道，每一所述子管道與一子過濾器連通，且所述多個(gè)子管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連通。在一些實(shí)施例中，所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道，每一所述第二子管道與一子過濾器連通，每一所述第二子管道...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來(lái)越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任...

圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五，其...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點(diǎn)，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進(jìn)行下一步。有時(shí)直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對(duì)于等離子體處理過的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000埃～10000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過高劑量或大分子量的源種...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、...

形成帶有沉淀物的固液混合物，打開一級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18，固液混合物進(jìn)入一級(jí)過濾罐16的過濾筒中，先由一級(jí)過濾罐16的過濾筒過濾得到一級(jí)線性酚醛樹脂，濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7，往復(fù)3次數(shù)后，一級(jí)線性酚醛樹脂回收完成，關(guān)閉一級(jí)過濾罐進(jìn)...

按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開始逐級(jí)由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20，在剝離液的水平面超過預(yù)設(shè)高度后流入過濾器30，再經(jīng)過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級(jí)腔室102內(nèi)。其中，...

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法，可用于微納制造，光學(xué)領(lǐng)域，電學(xué)，生物領(lǐng)域，mems領(lǐng)域，nems領(lǐng)域。技術(shù)背景：微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國(guó)家制造水平的重要標(biāo)志，對(duì)提高人們的生活水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，保障**安全等方...

所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級(jí)過濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級(jí)過濾罐16和二級(jí)過濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過濾筒。本實(shí)施例中，所述一級(jí)過濾罐16和二級(jí)過濾罐13的結(jié)構(gòu)相同，以一級(jí)過濾罐16為例，...

光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視，但是光刻膠都是作為層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問題，但是很重要，直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問題，比如正膠和負(fù)膠去除需要的工藝有...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲(chǔ)：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護(hù)極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點(diǎn)，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進(jìn)行下一步。有時(shí)直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對(duì)于等離子體處理過的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來(lái)越。在半導(dǎo)體元器件制造過程中，經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任...

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法，可用于微納制造，光學(xué)領(lǐng)域，電學(xué)，生物領(lǐng)域，mems領(lǐng)域，nems領(lǐng)域。技術(shù)背景：微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國(guó)家制造水平的重要標(biāo)志，對(duì)提高人們的生活水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，保障**安全等方...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工...