本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過(guò)氧化氫系銅刻蝕液。過(guò)氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過(guò)硫酸銨體系...

光刻膠殘留大，殘留分布不均勻，并且產(chǎn)生邊緣聚集殘留。為了能夠進(jìn)一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對(duì)比，圖2中將多張單張檢測(cè)圖進(jìn)行疊加，可以更加清楚地看出兩者之間的區(qū)別，能夠明顯地看出使用配方一的剝離液，高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多...

在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的種結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離...

能夠增強(qiáng)親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤(rùn)濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開(kāi)始逐級(jí)由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20，在剝離液的水平面超過(guò)預(yù)設(shè)高度后流入過(guò)濾器30，再經(jīng)過(guò)過(guò)濾器30的過(guò)濾將過(guò)濾后的剝離液傳送至下一級(jí)腔室102內(nèi)。其中，...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說(shuō)是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來(lái)越。在半導(dǎo)體元器件制造過(guò)程中，經(jīng)過(guò)涂敷-顯影-蝕刻過(guò)程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任...

從而可以在閥門開(kāi)關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過(guò)濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無(wú)法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級(jí)向玻璃基板分別提供剝離液；與多個(gè)腔室10分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)存儲(chǔ)箱20，各級(jí)腔室10分...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹?，一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...

隨著電子元器件制作要求的提高，相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢(shì)，并規(guī)范世界超凈高純?cè)噭┑臉?biāo)準(zhǔn)，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織（SEMI）將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個(gè)數(shù)和應(yīng)用...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場(chǎng)規(guī)模偏小。剝離液...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場(chǎng)規(guī)模偏小。剝離液...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來(lái)越高。在這種小型化趨勢(shì)的推動(dòng)下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級(jí)腔室102連通。其中，閥門開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中，閥門開(kāi)關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中，閥...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過(guò)皮帶連接，所述收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述膠面收卷輥通過(guò)導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應(yīng)器通過(guò)導(dǎo)線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過(guò)導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進(jìn)一步的，所述干燥度...

所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級(jí)過(guò)濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級(jí)過(guò)濾罐16和二級(jí)過(guò)濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。本實(shí)施例中，所述一級(jí)過(guò)濾罐16和二級(jí)過(guò)濾罐13的結(jié)構(gòu)相同，以一級(jí)過(guò)濾罐16為例，...

但現(xiàn)有的回收裝置普遍存在如下問(wèn)題：剝離廢液利用水洗裝置水洗過(guò)濾出光刻膠樹(shù)脂成分，回收率低。為了解決這一問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續(xù)反應(yīng)，而后沉淀過(guò)濾出光刻膠樹(shù)脂成分，但所得到的光刻膠樹(shù)脂成分品質(zhì)不宜再用于光刻膠原料，只能用于其他要求較...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過(guò)程中，需要通過(guò)多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工...

所述過(guò)濾器包括多個(gè)并列排布的子過(guò)濾器，所述道包括多個(gè)子管道，每一所述子管道與一子過(guò)濾器連通，且所述多個(gè)子管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連通。在一些實(shí)施例中，所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道，每一所述第二子管道與一子過(guò)濾器連通，每一所述第二子管道...

本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域：，更具體的說(shuō)是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應(yīng)用也越來(lái)越。在半導(dǎo)體元器件制造過(guò)程中，經(jīng)過(guò)涂敷-顯影-蝕刻過(guò)程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時(shí)不能損傷任...

圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五，其...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點(diǎn)，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進(jìn)行下一步。有時(shí)直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對(duì)于等離子體處理過(guò)的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000?！?0000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過(guò)高劑量或大分子量的源種...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、...

形成帶有沉淀物的固液混合物，打開(kāi)一級(jí)過(guò)濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18，固液混合物進(jìn)入一級(jí)過(guò)濾罐16的過(guò)濾筒中，先由一級(jí)過(guò)濾罐16的過(guò)濾筒過(guò)濾得到一級(jí)線性酚醛樹(shù)脂，濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7，往復(fù)3次數(shù)后，一級(jí)線性酚醛樹(shù)脂回收完成，關(guān)閉一級(jí)過(guò)濾罐進(jìn)...

按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開(kāi)始逐級(jí)由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20，在剝離液的水平面超過(guò)預(yù)設(shè)高度后流入過(guò)濾器30，再經(jīng)過(guò)過(guò)濾器30的過(guò)濾將過(guò)濾后的剝離液傳送至下一級(jí)腔室102內(nèi)。其中，...

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法，可用于微納制造，光學(xué)領(lǐng)域，電學(xué)，生物領(lǐng)域，mems領(lǐng)域，nems領(lǐng)域。技術(shù)背景：微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國(guó)家制造水平的重要標(biāo)志，對(duì)提高人們的生活水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，保障**安全等方...

所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級(jí)過(guò)濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級(jí)過(guò)濾罐16和二級(jí)過(guò)濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。本實(shí)施例中，所述一級(jí)過(guò)濾罐16和二級(jí)過(guò)濾罐13的結(jié)構(gòu)相同，以一級(jí)過(guò)濾罐16為例，...

光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視，但是光刻膠都是作為層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問(wèn)題，但是很重要，直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問(wèn)題，比如正膠和負(fù)膠去除需要的工藝有...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲(chǔ)：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護(hù)極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)...