河北數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試

DDR測(cè)試

由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會(huì)達(dá)到3.2GT/s以上，DDR5的數(shù)據(jù)速率更高，所以對(duì)邏輯分析儀的要求也很高，需要狀態(tài)采樣時(shí)鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps以上的數(shù)據(jù)速率。圖5.22是基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)。圖中是通過DIMM條的適配器夾具把上百路信號(hào)引到邏輯分析儀，相應(yīng)的適配器要經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試，確保在其標(biāo)稱的速率下不會(huì)因?yàn)樾盘?hào)質(zhì)量問題對(duì)協(xié)議測(cè)試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號(hào)的采集和分析。 DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析；河北數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試

對(duì)于DDR2-800，這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用，只是有少許的差別。然而，也是知道的，菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢(shì)的。對(duì)于超過兩片的SDRAM，通常，是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計(jì)。然而，對(duì)于DDR2-800，所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性，而在DDR3的設(shè)計(jì)中，特別是在1600Mbps時(shí)，則只有D是滿足設(shè)計(jì)的。廣東DDR測(cè)試安裝DDR測(cè)試USB眼圖測(cè)試設(shè)備？

DDR測(cè)試

內(nèi)存條測(cè)試對(duì)內(nèi)存條測(cè)試的要求是千差萬別的。DDR內(nèi)存條的制造商假定已經(jīng)進(jìn)行過芯片級(jí)半導(dǎo)體故障的測(cè)試，因而他們的測(cè)試也就集中在功能執(zhí)行和組裝錯(cuò)誤方面。通過采用DDR雙列直插內(nèi)存條和小型雙列直插內(nèi)存條，可以有三種不同內(nèi)存條測(cè)試儀方案：雙循環(huán)DDR讀取測(cè)試。這恐怕是簡(jiǎn)單的測(cè)試儀方案。大多數(shù)的測(cè)試儀公司一般對(duì)他們現(xiàn)有的SDR測(cè)試儀作一些很小的改動(dòng)就將它們作為DDR測(cè)試儀推出。SDR測(cè)試儀的寫方式是將同一數(shù)據(jù)寫在連續(xù)排列的二個(gè)位上。在讀取過程中，SDR測(cè)試儀能首先讀DDR內(nèi)存條的奇數(shù)位數(shù)據(jù)。然后，通過將數(shù)據(jù)鎖存平移半個(gè)時(shí)鐘周期，由第二循環(huán)讀偶數(shù)位。這使得測(cè)試儀能完全訪問DDR內(nèi)存單元。該方法沒有包括真正的突發(fā)測(cè)試，而且也不是真正的循環(huán)周期測(cè)試。

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DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單，只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 DDR信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件；

對(duì)于DDR2和DDR3，時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然，在同樣的長(zhǎng)度下，差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果，時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外，必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個(gè)字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配，而且不能有過孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR4信號(hào)完整性測(cè)試案例；河北數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試

DDR工作原理與時(shí)序問題；河北數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機(jī)、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對(duì)容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場(chǎng)的需求和技術(shù)的升級(jí)推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了，但市場(chǎng)上對(duì)經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測(cè)試痛點(diǎn)測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測(cè)和驗(yàn)證突發(fā)的讀寫脈沖信號(hào)；配置測(cè)試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測(cè)試。河北數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試