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6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數(shù)據(jù)抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現(xiàn)在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調節(jié)模塊里的大電容可以很好的進行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。DDR存儲器信號和協(xié)議測試；海南DDR測試代理商

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DDR的信號仿真驗證由于DDR芯片都是采用BGA封裝，密度很高，且分叉、反射非常嚴重，因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真軟件中專門針對DDR的仿真模型庫仿真出的通道損耗以及信號波形。仿真出信號波形以后，許多用戶需要快速驗證仿真出來的波形是否符合DDR相關規(guī)范要求。這時，可以把軟件仿真出的DDR的時域波形導入到示波器中的DDR測試軟件中,并生成相應的一致性測試報告，這樣可以保證仿真和測試分析方法的一致，并且便于在仿真階段就發(fā)現(xiàn)可能的信號違規(guī)。 HDMI測試DDR測試檢修DDR的規(guī)范要求進行需求；

DDR5發(fā)送端測試隨著信號速率的提升，SerDes技術開始在DDR5中采用，如會采用DFE均衡器改善接收誤碼率，另外DDR總線在發(fā)展過程中引入訓練機制，不再是簡單的要求信號間的建立保持時間，在DDR4的時始使用眼圖的概念，在DDR5時代，引入抖動成分概念，從成因上區(qū)分解Rj，Dj等，對芯片或系統(tǒng)設計提供更具體的依據(jù)；在抖動的參數(shù)分析上，也增加了一些新的抖動定義參數(shù)，并有嚴苛的測量指標。針對這些要求，提供了完整的解決方案。UXR示波器，配合D9050DDRC發(fā)射機一致性軟件，及高阻RC探頭MX0023A，及Interposer，可以實現(xiàn)對DDR信號的精確表征。

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除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發(fā)展，由DDR技術演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應用場景，相對于同一代技術的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內存技術，比如三星公司推出的LPDDR4x技術，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪聲會更敏感，其電路設計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動調整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持。同時，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。 DDR3規(guī)范里關于信號建立；

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制定DDR內存規(guī)范的標準按照JEDEC組織的定義，DDR4的比較高數(shù)據(jù)速率已經達到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點。但是從LPDDR4開始，由于高性能移動終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標準制定，并于2020年在的移動終端上開始使用。DDR5的規(guī)范(JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在2021年開始配合Intel等公司的新一代服務器平臺走向商 DDR4信號質量測試 DDR4-DRAM的工作原理分析；HDMI測試DDR測試檢修

DDR測試技術介紹與工具分析；海南DDR測試代理商

trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因，所以，在實際的設計時，要借助于CAD工具進行嚴格的計算，從而控制走線的時延匹配。考慮到在圖2中6層板上的過孔的因素，當一個地過孔靠近信號過孔放置時，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子，在TOP層的微帶線長度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數(shù)為：barreldiameter=”8mils”，paddiameter=”18mils”，anti-paddiameter=”26mils”。海南DDR測試代理商