山西電子元器件技術

來源: 發布時間:2025-04-06

     在速率上,商用系統大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系統正在實用化,預計到2004年開始商業應用,一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面,通道間的波長間隙已小到25GHz,還在向12.5GHz努力,使得商用系統的總通道數現為160~240個,實驗室中比較高達到1022個。為得到更大容量,有時不得不在上述兩者之間折衷考慮,同時還要采取抑制光纖中色散、非線性效應的措施。所有這些要求都涉及到器件的高速、靈活和可靠的問題,而且**終還必須考慮低成本的問題,這使得新原理、新結構和新功能的器件不斷涌現。探索無錫微原,發現電子元器件在汽車電子中的廣泛應用。山西電子元器件技術

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水泥電阻的檢測。檢測水泥電阻的方法及注意事項與檢測普通固定電阻完全相同。3 熔斷電阻器的檢測。在電路中,當熔斷電阻器熔斷開路后,可根據經驗作出判斷:若發現熔斷電阻器表面發黑或燒焦,可斷定是其負荷過重,通過它的電流超過額定值很多倍所致;如果其表面無任何痕跡而開路,則表明流過的電流剛好等于或稍大于其額定熔斷值。對于表面無任何痕跡的熔斷電阻器好壞的判斷,可借助萬用表R×1擋來測量,為保證測量準確,應將熔斷電阻器一端從電路上焊下。若測得的阻值為無窮大,則說明此熔斷電阻器已失效開路,若測得的阻值與標稱值相差甚遠,表明電阻變值,也不宜再使用。在維修實踐中發現,也有少數熔斷電阻器在電路中被擊穿短路的現象,檢測時也應予以注意。山西電子元器件技術無錫微原電子,為通信設備提供高性能電子元器件解決方案。

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加溫檢測;在常溫測試正常的基礎上,即可進行第二步測試—加溫檢測,將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對其加熱,同時用萬用表監測其電阻值是否隨溫度的升高而增大,如是,說明熱敏電阻正常,若阻值無變化,說明其性能變劣,不能繼續使用。注意不要使熱源與PTC熱敏電阻靠得過近或直接接觸熱敏電阻,以防止將其燙壞。6 負溫度系數熱敏電阻(NTC)的檢測。(1)、測量標稱電阻值Rt 用萬用表測量NTC熱敏電阻的方法與測量普通固定電阻的方法相同,即根據NTC熱敏電阻的標稱阻值選擇合適的電阻擋可直接測出Rt的實際值。但因NTC熱敏電阻對溫度很敏感,故測試時應注意以下幾點:A Rt是生產廠家在環境溫度為25℃時所測得的,所以用萬用表測量Rt時,亦應在環境溫度接近25℃時進行,以保證測試的可信度。B 測量功率不得超過規定值,以免電流熱效應引起測量誤差。C 注意正確操作。測試時,不要用手捏住熱敏電阻體,以防止人體溫度對測試產生影響。

空載電流的檢測。(a) 直接測量法。將次級所有繞組全部開路,把萬用表置于交流電流擋500mA,串入初級繞組。當初級繞組的插頭插入220V交流市電時,萬用表所指示的便是空載電流值。此值不應大于變壓器滿載電流的10%~20%。一般常見電子設備電源變壓器的正常空載電流應在100mA左右。如果超出太多,則說明變壓器有短路性故障。(b) 間接測量法。在變壓器的初級繞組中串聯一個10 /5W的電阻,次級仍全部空載。把萬用表撥至交流電壓擋。加電后,用兩表筆測出電阻R兩端的電壓降U,然后用歐姆定律算出空載電流I空,即I空=U/R。無錫微原,用先進工藝制造出高性能的電子元器件。

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晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數字表示,如:D5表示編號為5的二極管。作用:二極管的主要特性是單向導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很小;而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。因為二極管具有上述特性,無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控制、調頻調制和靜噪等電路中。組合電路集成電路是一種采用特殊工藝,將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件,英文縮寫為IC,也俗稱芯片。元件屬于不需要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。虹口區哪里有電子元器件

電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術。山西電子元器件技術

2002年OFC展覽會上有十多家自動封裝、自動熔接設備廠商參展,熔接、對準、壓焊等許多認為只能由人工操作的工藝都能由機械手進行。據ElectroniCast預測,到2005年自動化組裝與測試設備的銷量將達17.1億美元,光電子器件產值中的70%~80%將由全自動或半自動化組裝生產, 可以說自動化生產線的出現是光電子行業開始走向成熟的標志和發展的必然。光電器件下一代光傳送網的基本特征是超大容量,從各種復用技術的發展狀況看,密集波分復用(DWDM)被認為是擴大網絡容量和提高其靈活性的***途徑。采用DWDM可以使容量迅速地擴大數十倍至數百倍。由于市場驅動和技術突破的影響,波分復用系統發展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復用有關。DWDM的發展思路一直是追求更高的頻譜效率,一方面提高每個通道的速率,另一方面增加通道密度。山西電子元器件技術

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