EVG610鍵合機(jī)原理

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-08

EVG®850TB 自動(dòng)化臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 全自動(dòng)將臨時(shí)晶圓晶圓鍵合到剛性載體上特色技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動(dòng)的臨時(shí)鍵合系統(tǒng)可在一個(gè)自動(dòng)化工具中實(shí)現(xiàn)整個(gè)臨時(shí)鍵合過程-從臨時(shí)鍵合劑的施加,烘焙,將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對準(zhǔn)和鍵合開始。與所有EVG的全自動(dòng)工具一樣,設(shè)備布局是模塊化的,這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進(jìn)行優(yōu)化。可選的在線計(jì)量模塊允許通過反饋回路進(jìn)行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺(tái),因此可以使用不同類型的臨時(shí)鍵合粘合劑,例如旋涂熱塑性塑料,熱固性材料或膠帶。同時(shí),EVG研發(fā)生產(chǎn)的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG610鍵合機(jī)原理

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該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護(hù)它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,它們在加熱時(shí)需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請點(diǎn)擊:鍵合機(jī)。 臨時(shí)鍵合鍵合機(jī)美元報(bào)價(jià)在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。

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目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時(shí),金層發(fā)生流動(dòng)、互融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當(dāng)金層發(fā)生氧化時(shí)就會(huì)影響鍵合質(zhì)量。

EVG®510晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。特色:EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,玻璃粉,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化,轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)、研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設(shè)計(jì)相同,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。EVG501晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)醉高產(chǎn)量;研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。

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EVG®850鍵合機(jī)EVG®850鍵合機(jī)特征生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口對準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±°結(jié)合力:ZUI高5N鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件)清潔站清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選)腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%濃度(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):ZUI高3000rpm。 LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活,用于PAWB(等離子基活的晶圓鍵合)。EVG610鍵合機(jī)原理

EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。EVG610鍵合機(jī)原理

一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個(gè)管芯中,少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,不對邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本。半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。 EVG610鍵合機(jī)原理

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