EVG鍵合機技術服務

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產系統可在高通量，高產量環境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術數據：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。EVG鍵合機技術服務

EVG®540自動晶圓鍵合機系統全自動晶圓鍵合系統，適用于蕞/大300mm的基板技術數據EVG540自動化晶圓鍵合系統是一種自動化的單腔室生產鍵合機，設計用于中試線生產以及用于晶圓級封裝，3D互連和MEMS應用的大批量生產的研發。EVG540鍵合機基于模塊化設計，為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發到大規模生產的全集成生產鍵合系統過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機，蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew®和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術數據蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計，并結合了EVG手動鍵合系統的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產量的生產鍵合。機器人處理系統會自動加載和卸載處理室。 江蘇鍵合機美元價EVG鍵合機提供的加工服務。

1)由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境，且具有工藝溫度低，容易實現圖形化，應力匹配度高等優點。3)由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優化，對工藝參數進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 

封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術［1］。實現封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。 EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置，這樣可以簡化用戶常規操作。

EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術數據晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區域：? 4.0mm材質：聚四氟乙烯我們在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。EVG鍵合機技術服務

EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發的鍵合機。EVG鍵合機技術服務

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數，從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術支持。 EVG鍵合機技術服務